Actualmente, los láseres que emiten luz verde tienen valores limitados de eficiencia, potencia y semivida. Un grupo de científicos financiado por la Unión Europea ha avanzado de forma importante hacia una nueva tecnología que podría cambiar esta situación en un futuro próximo.
El semiconductor cristalino nitruro de galio (GaN) ha abierto la puerta a
obtener láseres verdes gracias a sus extraordinarias propiedades
optoelectrónicas. El resultado son dispositivos de nitruro de galio e
indio (InGaN) que funcionan en la región espectral del verde (longitudes
de onda en torno a 510 – 570 nm). No obstante, a pesar del progreso
reciente, los diodos emisores de luz y láser (LED) de InGaN de alta
calidad son muy difíciles de obtener.
Un grupo de científicos financiado por la Unión Europea ha abordado
las bases técnicas para resolver las deficiencias en este campo mediante
el proyecto
SINOPLE. El
equipo del proyecto se centró en el uso de la epitaxia mediante haces
moleculares (MBE) para depositar capas activas de InGaN ricas en In
sobre monocristales de GaN prácticamente libres de dislocaciones.
Incorporar niveles elevados de In es un requisito previo para obtener
emisores de color verde. No se había logrado anteriormente mediante MBE y
las heteroestructuras de InGaN/GaN ricas en In no se conocían en
detalle.
Los investigadores lograron hacer crecer InGaN con un alto contenido
de In (hasta el 20 %) epitaxial sobre distintos sustratos mediante MBE.
También tuvieron éxito con InGaN sobre óxido de zinc. En el camino
hacia el desarrollo de los dispositivos, el equipo también elaboró un
método muy sensible para caracterizar las fluctuaciones de In mediante
microscopia electrónica de transmisión con una exactitud sin
precedentes.
Los investigadores obtuvieron finalmente distintos láseres en los
rangos del espectro ultravioleta, azul y verde. El nuevo sistema de MBE
facilitó la obtención de InGaN de mayor calidad y produjo un registro de
diodos láser obtenidos mediante MBE de nitruro bombeado eléctricamente
con emisión a una longitud de onda de 482 nm.
Además, el equipo obtuvo diodos láser de onda continua con una
longitud de onda de 450 nm, 60 mW de potencia y una vida útil de más de 5
000 h. El resultado muestra que MBE puede competir con el depósito
químico en fase vapor con precursores metalorgánicos (MOVCD)
convencional. Además, esta técnica admite cierta flexibilidad en la
temperatura de procesamiento y sustratos que no se pueden utilizar con
MOCVD.
SINOPLE ha avanzado de forma importante en el estado de la técnica
en relación con la obtención de láseres LED verdes con valores mayores
de eficiencia, potencia y vida útil. Las posibilidades de aplicación de
esta fuente de luz coherente tan elusiva son enormes. Desde visores de
información hasta televisores o aplicaciones biomédicas, el mundo está a
punto de recibir una sorpresa que le abrirá los ojos.